QX∕T 546—2020 空间高能粒子辐射效应术语(气象)
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.46 |
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页数： |
16 |
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日期： |
2024-8-26 |
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ICS 07. 060,A 47,中 华人民共和 国气象行业标准,QX/T 546—2020,空间高能粒子辐射效应术语,Terminology for space energetic particle radiation effects,2020-04-14 发布2020-07-01 施,中国气象局 发布,QX/T 546-2020,目 次,刖言.山, 范围 ..1,2 粒子辐射环境 .. 1,3 航天器辐射剂量效应 .. 1,4航天器单粒子效应.2,5航天器深层充电效应. 3,6 航天生物体辐射效应 . 3,参考文献. 5,索弓I. 6,I,QX/T 546-2020,前 言,本标准按照GB/T 1.1-2009和GB/T 20001.1-2001给出的规则起草,本标准由全国卫星气象与空间天气标准化技术委员会空间天气监测预警分技术委员会(SAC/TC,347/SC 3)提出并归口,本标准起草单位:国家卫星气象中心(国家空间天气监测预警中心),本标准主要起草人:唐云秋、薛炳森、闫小娟,皿,QX/T 546-2020,空间高能粒子辐射效应术语,1范围,本标准界定了空间天气保障中涉及的空间高能粒子辐射效应相关的术语,本标准适用于空间天气保障,以及空间高能粒子辐射效应研究与应用,2粒子辐射环境,2. 1,地球辐射带 radiation belts of the earth,地球空间中被地磁场捕获而形成的相对稳定的高能带电粒子聚集区,注:包括内辐射带（范艾伦带）和外辐射带,2. 2,银河宇宙线 galactic cosmic rays;GCRs,源于银河系的高能带电粒子流,2. 3,太阳宇宙线 solar cosmic rays;SCRs,太阳活动产生的高能带电粒子流,2. 4,空间高能粒子辐射环境 space energetic particle radiation environment,空间中能量高于几十千电子伏的带电粒子环境,注1:主要包括银河宇宙线（2.2）、太阳宇宙线（2.3）和地球辐射带（2. 1）高能带电粒子,注 2:改写 GB/T 30114. 2—2014,定义 7. 4,2. 5,空间高能粒子辐射效应 space energetic particle radiation effects,空间高能粒子辐射环境（2. 4）对在轨航天系统及生物体产生的影响,注:主要包括辐射剂量效应（3. 1）、单粒子效应（4. 1）、深层充电效应（5. 1）和辐射生物效应（6. 1）等,3航天器辐射剂量效应,3. 1,辐射剂量效应 radiation dose effect,空间高能粒子造成的电离作用和原子位移作用使得航天器材料、电子器件的性能变差,甚至损坏的,现象,注:单指对航天器材料和电子器件的影响,不包括辐射生物效应（6. 1）,3. 2,电离总剂量效应 total ionizing dose effect,空间高能粒子通过电离（激发）过程,引起航天器材料状态改变的现象,1,QX/T 546-2020,3. 3,位移效应 displacement effect,当空间高能粒子辐照半导体材料时,使其原子产生位移,造成缺陷,改变其原有电学性能,导致器件,性能下降的现象,3. 4,总电离剂量 total ionizing dose ； TID,空间高能粒子通过电离（激发）过程,在材料中传递的能量总额,3. 5,非电离能损 non-ionizing energy loss ;NIEL,空间高能粒子造成半导体材料原子位移所对应的能量传递,3. 6,线性能量输送 iinear energy transfer;LET,带电粒子通过材料单位长度时输送的能量,注:单位为兆电子伏特平方厘米每克（MeV-cm?4）,4航天器单粒子效应,4. 1,单粒子效应 single event effect;SEE,单粒子事件,由于单个高能粒子撞击微电子器件敏感区域而引起的器件异常,4. 2,单粒子翻转 single event upset;SEU,由单个高能粒子引起的系统或设备中逻辑电路单元状态改变的现象,4 . 3,单粒子锁定 single event latch-up;SEL,由单个高能粒子引起的系统或设备中逻辑电路单元丧失功能的现象,4 .4,单粒子烧毁 single event burnout;SEB,由单个高能粒子轰击引起的系统或设备中元器件损坏的现象,4. 5,单粒子门击穿 single event gate rupture;SEGR,单粒子门断裂,单粒子栅击穿,单粒子栅极击穿,由单个高能粒子轰击引起的系统或设备中功率器件的破坏性失效的现象,4. 6,单粒子功能中断 single event functional interrupt;SEFI,由单个高能粒子轰击引起的系统或设备中元器件丧失功能的现象,4. 7,多位翻转 multiple bit upset; MBU,单个高能粒子击中微电子器件敏感部位,引发多个逻辑单元状态同时发生改变的现象,2,QX/T 546-2020,4.8,单粒子瞬变 single event transient;SET,单个高能粒子轰击引起的电路中产生瞬时电流脉冲的现象,5航天器深层充电效应,5. 1,深层充电效应 deep charging effect,由空间高能电子在介质内部沉积所形成的电场,影响航天器设备正常工作的现象,5. 2,深层介质充电 deep dielectric charging,内部介质充电 internal dielectric charging……
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